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【摘要】ASC04065KQ氮化硅Diode二极管能够满足这些需求，提供更高的效率和更高的功率密度。
安森德ASDsemi ASC04065KQ氮化硅Diode二极管，与传统的硅基二极管相比，具有更快的开关速度、更低的反向恢复损耗和更高的工作温度。
ASC04065KQ氮化硅二极管的应用领域广泛，包括但不限于工程建设、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流（DC-DC）转换器和电动汽车（EV）电池充电器等。
最大额定值（T=C 25˚C，除非另有规定）
ASC04065KQ氮化硅Diode二极管，由于碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有更高的热导率、更高的击穿场强和更高的饱和电子迁移率，这些特性使得SiC Diodes二极管ASC04065KQ在高压、高温和高频率的应用中表现出色。
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