【摘要】ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE
ASDM9GN65TE是ASDsemi安森德的一款650V第三代半导体功率器件氮化镓mos管。
(一)ASDM9GN65TE特征:
(1)易于使用,与标准门驱动器兼容
(2)低Qrr,无需续流二极管
(3)出色的Qg x RDS(on)产品(FOM)
(4)开关损耗低
(5)符合RoHS标准且无卤素
(二)ASDM9GN65TE应用:
(1)高效电源
(2)高效USB PD适配器
(3)其他消费电子产品
ASDM9GN65TE氮化镓功率器件,典型TC=25°C时的最大额定值
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诺芯盛备案号:粤ICP备2022029173号-4 热销型号:ASDM30C16E-R ASDM3010S-R APM20G02LI AGM311MN