国产高压MOS管(第三代半导体功率器件GaN、SiC)

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ASDM9GN65TE

产品品牌 Brand: ASDsemi

产品型号 Part No.: ASDM9GN65TE

产品类型 Channel: GaN-MOS

漏源电压 Vds(V): 650

连续漏极电流 ID(A): 9

应用范围: PD快充、适配器

资料下载:

【摘要】ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

型号:ASDM9GN65TE
类型:GaN-MOS
VDS(V):650
VGS(V):±20
VGS(th)(V):2.0
no
RDS(on)VGS=8V:290
no
ID(A):9
Ciss(pF):500
Qg(nC):21
Package:DFN8*8

ASDM9GN65TE是ASDsemi安森德的一款650V第三代半导体功率器件氮化镓mos管。

(一)ASDM9GN65TE特征:

     (1)易于使用,与标准门驱动器兼容

     (2)低Qrr,无需续流二极管

     (3)出色的Qg x RDS(on)产品(FOM)

     (4)开关损耗低

     (5)符合RoHS标准且无卤素


(二)ASDM9GN65TE应用:

     (1)高效电源

     (2)高效USB PD适配器

     (3)其他消费电子产品


ASDM9GN65TE氮化镓功率器件,典型TC=25°C时的最大额定值

微信图片_20240704220020

本文标签: MOS
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编辑:pdmos
时间:2024-07-04

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