无线充mos管容易烧坏是什么原因？

        mosfet (金属氧化物半导体场效应管)是一种常用的半导体器件，在无线充电器电路板中也分布着不少MOS管，有些mos管是作为线圈驱动应用，在多线圈无线充应用中还存在着线圈切换MOS管，总之mos管在电子电路中起着非常重要的作用。

然而, MOS管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（导体材料由于高温而分解）。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路设计必须将其限制在安全水平。还有可能是功率过载，超过绝对最大额定值和散热不足，都会导致MOS管发生故障。

MoSFet长时间工作和特定条件下的操作可能会导致其过热甚至烧坏。以下是无线充MoS管经常烧坏的一些原因：

（1）过高的工作温度：

     MOSFETE工作温度应在其额定范围内，但如果其周围环境温度过高，或由于散热不良导致的内部温度过高，可能会导致MOS管过热烧坏。

（2）过高的电压：

MOS管在工作时需要在其额定电压范围内使用。如果在过高的电压下工作，会导致MOS管内部击穿，损坏绝缘层，最终烧坏。

（3）过大的电流：

MoSFete额定电流也是有限的，如果电路设计或操作错误导致电流超过其额定值，会引起MOS管过载，致使烧坏。

（4）瞬态电流过载：

持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏，但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高，不太能察觉出来。

（5）静电击穿：

当Mos暴露在静电放电或静电冲击下时。会导致静电击穿。损坏Mos内部结构，从而使其无法工作。

（6）过压或过电压冲击：

当电路中存在过压或过电压冲击时，如并机或断电时的过电压突变，可能导致MOS管承受过大的电压，使其击穿损坏。

（7）反向极间击穿：

当MOS管两极之间的电压采用反向连接时，如果反向电压超过其耐压范围，会导致极间击穿，烧坏MOS管。

（8）功率过大：

MOSFeT功率损耗会产生热量，如果功率过大超过了器件的散热能力，会导致MOS管过热烧坏。

（9）过载或短路：

当电路中存在过载或短路时，MOS管承受过大电流或过大功率，无法正常工作，从而烧坏。

（10）自激振荡：

在某些条件下，MOS管的输入和输出之间可能会形成自激振荡回路，导致电流过大超过MOS管的能力，引起烧坏。

（11）不当的安装：

MOS管需要正确安装在无线充PCB板中适当的位置，以确保良好的散热，如果安装不当，可能会导致热量无法散发，使MOS管过热。

为了避免以上问题，需要合理设计电路，确保mosFet额定工作条件和环境条件内使用。此外，选择适当的散热方案，使用保护电路和过流、过压保险丝等保护措施也是必要的，以确保MOSFET可靠工作和寿命。