国产高压MOS管（第三代半导体功率器件GaN、SiC）

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ASCM30N120XD

产品品牌 Brand： 安森德ASDsemi

产品型号 Part No.： ASCM30N120XD

产品类型 Channel： N

漏源电压 VDS(V)： 1200

连续漏极电流 ID(A)： 30

应用范围： 车载DC/DC转换器、开关电源

资料下载：

【摘要】ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管，耐压高达1200V

型号：ASCM30N120XD
类型：N
VDS(V)：1200
RDS(on)VGS=10V：80
ID(A)：30
Package：TO-247-3
应用范围：车载DC/DC转换器、开关电源
No Data

安森德ASDsemi ASCM30N120XD是一款氮化硅高压mos管，耐压高达1200V，内阻低至80mΩ，连续漏极电流 ID(A) 30A

ASCM30N120XD氮化硅1200V高压MOS管

（一）ASCM30N120XD氮化硅1200V高压MOS管特征：

（1）低电容高速开关

（2）高阻断电压，低RDS（打开）

（3）优化的封装，带有单独的驱动源引脚

（4）易于并联，驾驶简单


（二）ASCM30N120XD绝对最大额定值（Tc=25℃）

ASCM30N120XD绝对最大额定值（Tc=25℃）参数表


（三）ASCM30N120XD氮化硅1200V高压MOS管应用：

（1）电动汽车电机驱动

（2）高压DC/DC转换器

（3）开关电源

（4）功率因数校正模块

本文标签： ASDsemi 氮化 高压MOS MOS 耐压 1200V
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编辑：pdmos
时间：2024-07-15

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