国产高压MOS管（第三代半导体功率器件GaN、SiC）

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超结MOS管

产品性能：耐压600-650V，内阻21-900mΩ 优势特点：多层外延工艺，具有内阻低，损耗小，Qg小，IDM&EAS能力优越等特点。 应用领域：直流充电桩/大功率电源/通信电源/服务器电源/逆变器/快充/适配器/消费家电等。
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    安森德ASDsemi耐压600V超结MOS管ASJ028N60L2HF快恢复
    ASJ028N60L2HF
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