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第三代半导体功率器件GaN氮化镓mos

产品性能：耐压650V，内阻低至100mΩ 优势特点：高频高效，高耐压，耐高温，高可靠性；可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。应用领域：氮化镓锂电池充电器/PD快充/大功率适配器

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ASDsemi安森德ASDM9GN65TE氮化镓MOS管650V

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