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三代半导体功率器件SiC氮化硅mos

产品性能：耐压65-1200V，内阻低至80mΩ 优势特点：高频高效，高耐压，耐高温，高可靠性；可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。应用领域：储能/光伏/逆变/车载DC/DC/CDU系统集成

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ASCM30N120XD氮化硅1200V高压MOS管

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