本文主要探讨了MOS管如何有效防止电流反冲，以及MOS管的防反冲基因解码。通过背靠背MOS管阵列和驱动IC协同防护，实现过压、反接、过流的四重防护，降低反向电流冲击的影响。此外，本文还介绍了MOS管在

MOS管和IGBT管作为电子开关的核心元件，在高频低功率和大功率应用中发挥着重要作用。MOS管高频特性好，输入阻抗高，热稳定性优良，制造成本低。而IGBT管则具有高输入阻抗、快速开关、大电流处理能力和

MOS管和IGBT管是现代电力电子系统中的两种开关器件，MOS管高速开关且能耗低，适合高频电路，而IGBT高压大电流且耐压能力强，适合高压大电流场景。

在电子工程领域，MOS管在夹断状态下的工作原理揭示了半导体物理的深层机制。当漏极电压逐渐增大时，耗尽层会扩张，形成一个高电场区域，类似于河流被堤坝截断，但电流并未完全停止。高能载流子在电场中获得足够动

应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S

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ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE

ASJ028N60L2HF是一款快恢复超结MOS管，耐压600V内阻22~28mΩ

ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管，耐压高达1200V

主要应用于无线充电线圈驱动