功率MOSFET是高效能电子设计的首选元件,具有高开关速度、低导通电阻和高电流承载能力等优点。其高输入阻抗使得驱动电路简单,功耗低。在电动汽车、工业电源和太阳能逆变器等高功率应用中表现出色。
MOS管短路故障的原因复杂多样,主要包括过压冲击、过热、栅极与源极/漏极短路等。通过深入分析故障原因,可以有效提高电子产品的可靠性和安全性。
MOS管是电子电路中的关键组件,具有高输入阻抗和低功耗优势,广泛应用于模拟和数字领域。常见的MOS管类型有N沟道和P沟道,电流与电压等级需根据电路板需求选择。
应用在无线充发射端双N耐压30V低压MOS管ASDM3010S
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ASDsemi安森德650V第三代半导体功率器件氮化镓MOS管ASDM9GN65TE
ASJ028N60L2HF是一款快恢复超结MOS管,耐压600V内阻22~28mΩ
ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管,耐压高达1200V
主要应用于无线充电线圈驱动
PD快充/适配器20W应用VBUS MOS安森德ASDM20P09ZB
诺芯盛备案号:粤ICP备2022029173号-4 热销型号:ASDM30C16E-R ASDM3010S-R APM20G02LI AGM311MN