PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET，具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作，适用于电池保护和其他开关应用。

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。

ASDM20P50KQ是一款国产P-MOS管，品牌：安森德 ASCENDSEMI，主要应用于电源开关、电池保护板等

矽睿siwisemi无线充专用MOS管SWH4608B，低成本20V N+P功率管采用SO23-6L小型封装，节省元器件PCB占用空间

安森德ASDsemi低成本30V N+P无线充MOS管AST120C03D6M，采用PDFN3*3-8封装，散热性能好，低内阻N+P通道增强型场效应管

WSD3044DN33是一款高性能沟槽双N沟道MOSFET，符合RoHS和绿色要求，具有极高的单元密度和超低栅极电荷，可实现100%EA，广泛应用于POL应用程序、MB/VGA/Vcore、负载开关和

安森德，双N-MOS管，主要应用于无线充电线圈驱动，30V Dual N-Channel MOSFET，型号：ASDM3010S 规格书下载

安森德ASDsemi超结MOS管ASJ028N60L2HF规格书pdf资料下载

大功率电磁炉应用mos驱动芯片n531规格书下载

推荐一款适用于无线充线圈驱动MOS管PST20G04，耐压20V，N+P双结mosfet