ASCM30N120XD是一款氮化硅高压MOS管,耐压高达1200V
主要应用于无线充电线圈驱动
PD快充/适配器20W应用VBUS MOS安森德ASDM20P09ZB
N532是一款功率开关控制器,具有高驱动能力、广泛电源适配范围、小巧封装和低功耗特性。适用于电磁炉、电机驱动控制、电源管理系统等应用场景。
PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET,具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作,适用于电池保护和其他开关应用。
安森德,双N-MOS管,主要应用于无线充电线圈驱动,30V Dual N-Channel MOSFET,型号:ASDM3010S 规格书下载
安森德ASDsemi超结MOS管ASJ028N60L2HF规格书pdf资料下载
推荐一款适用于无线充线圈驱动MOS管PST20G04,耐压20V,N+P双结mosfet
SOT23-3L封装的N沟道增强型场效应晶体管,优晶YC3400RSB规格书下载
诺芯盛备案号:粤ICP备2022029173号-4 热销型号:ASDM30C16E-R ASDM3010S-R APM20G02LI AGM311MN