国产品牌高压MOS

网站首页 > TAG标签 >  MOS

T
ag

MOS

联系诺芯盛科技
联系方式: 林生:185-2081-8530

Q Q:88650341

邮箱:lin@icgan.com

(MOS)  标签相关文章汇总列表页(Tag)

N管100V 15A国产MOS采用TO-252封装

国产N-MOS管PTD15N10是采用TO-252封装的常用功率器件,品牌为PUOLOP(迪浦),由中国国内工厂生产封装

NMOS驱动芯片N531耐压18V

N531驱动芯片是一款高性能的功率开关控制器,具有高效性、稳定性和可靠性。适用于各种类型的电磁炉、电机驱动等设备,但需注意其一些限制条件。

电机驱动控制开关MOS管N532驱动ic

N532是一款功率开关控制器,具有高驱动能力、广泛电源适配范围、小巧封装和低功耗特性。适用于电磁炉、电机驱动控制、电源管理系统等应用场景。

n沟道增强型mos管PTD60N02国产PUOLOP(迪浦)

PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET,具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作,适用于电池保护和其他开关应用。

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF

20v 10a n+p mos dfn3*3封装AP20G02BDF采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。

安森德双NMOS管ASDM3010S规格书

安森德,双N-MOS管,主要应用于无线充电线圈驱动,30V Dual N-Channel MOSFET,型号:ASDM3010S 规格书下载

安森德超结SJ-MOS管ASJ028N60L2HF规格书

安森德ASDsemi超结MOS管ASJ028N60L2HF规格书pdf资料下载

mos驱动芯片n531规格书

大功率电磁炉应用mos驱动芯片n531规格书下载

无线充20V N+P MOS管PST20G04规格书

推荐一款适用于无线充线圈驱动MOS管PST20G04,耐压20V,N+P双结mosfet

优晶N-MOS管YC3400RSB规格书

SOT23-3L封装的N沟道增强型场效应晶体管,优晶YC3400RSB规格书下载

首页 下载中心 中低压MOS管产品 高压MOS管产品 第三代半导体GaN 第三代半导体SiC 公司简介 在线留言 网站地图
  • 服务热线:185-2081-8530(林生);QQ:88650341
  • E-Mail:lin@icgan.com
  • 公司地址:深圳市龙华区大浪街道华宁路38号港深创新园G栋349
  • 诺芯盛科技供应各类功率器件,中低压MOS管、高压MOS管,第三代半导体GaN SiC等产品
  • Powered by PDMCU
扫码添加微信号码: 二维码扫一扫
[TOP]
在线客服

在线咨询

在线咨询

在线咨询

18520818530
二维码

官方微信扫一扫