增强型mos管和耗尽型mos管的符号

增强型mosfet和耗尽型mosFET在符号上的主要区别在于栅极和源极之间的连接。以下是这两种MOS管的符号说明：

增强型MOSFET符号

• 栅极（G）：通常用一个平行的横线表示。

• 源极（S）：用一个竖线表示。

• 漏极（D）：用另一个竖线表示。

• 栅极与源极之间：没有连线，表示在没有偏置电压时沟道不导通。

• 应用：需要外部电压来控制导通状态，常用于需要精确控制开关状态的场合。

耗尽型MOSFET符号

• 栅极（G）：通常用一个平行的横线表示。

• 源极（S）：用一个竖线表示。

• 漏极（D）：用另一个竖线表示。

• 栅极与源极之间：有一条连线，表示在没有偏置电压时沟道已经导通。

• 应用：栅极电压可以用正、零、负电压控制导通，常用于低噪声放大器等场合。

希望这些信息能帮助您更好地理解这两种mos管的符号及其工作原理！