发布时间:2024-12-15编辑:国产MOS管厂家浏览:0次
高压集成电路的发展经历了几个关键阶段:最初是离散器件阶段,随后进入硅上绝缘体(SOI)技术阶段,再到新材料和新封装技术的引入。这些技术进步显著提升了集成度和性能。例如,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等新材料的应用,使得高压集成电路在高效率、高功率密度和高可靠性方面取得了重大突破。
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