碳化硅mosfet国内的难点有哪些？

栅氧层的质量直接影响到碳化硅MOSFET的沟道迁移率和栅极可靠性。与传统硅材料不同，碳化硅在热氧化工艺中产生的多余碳原子会对表面态产生负面影响，导致沟道迁移率大幅下降。目前市场上商用碳化硅MOSFET的沟道迁移率远低于理论值，提高栅氧质量成为当务之急。国内科研机构和企业正在通过改进热氧化工艺和材料选择来提升栅氧质量，但距离国际先进水平仍有差距。