mos管工作原理静态分析，等你揭开面纱！

1. 概念：mos管是一种通过电场控制导通和截止状态的半导体器件。它由金属层（M）、氧化物层（O）和半导体层（S）组成。根据导电沟道的不同，MOS管可以分为N沟道和P沟道两种类型。

2. 基本结构：MOS管的基本结构包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。其中，栅极由多晶硅制成，位于源极和漏极之间的绝缘层上方。栅极通过改变其电压来控制源极和漏极之间的电流。

1. NMOS工作原理：以N沟道MOS管为例，当栅源电压V_GS大于阈值电压V_TH时，会在半导体表面形成一个反型层，从而形成导电沟道，使电流从源极流向漏极。

2. PMOS工作原理：对于P沟道MOS管，当栅源电压V_GS的绝对值大于阈值电压的绝对值时，同样会形成导电沟道，但此时电流的方向是从源极流向漏极。

1. 伏安特性曲线：通过实验可以得到MOS管的输出特性曲线，这些曲线显示了不同栅源电压下漏极电流I_D与漏源电压V_DS之间的关系。

2. 转移特性曲线：MOS管的转移特性曲线描述了栅源电压V_GS对漏极电流I_D的控制作用。这条曲线可以帮助我们了解不同工作状态下MOS管的性能。

3. 夹断电压：当漏源电压V_DS增大到一定值时，会使漏极电流I_D减小甚至截止，这种现象称为夹断。