发布时间:2024-09-07编辑:pdmos浏览:0次
(2)它的结构主要包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G),其中栅极通过一层薄氧化层与源漏极绝缘。
(2)当V_GS超过V_T时,会在P型衬底表面形成一个N型反转层,即导电沟道。此时,如果漏源之间加上正电压V_DS,则会有漏极电流I_D流过沟道,MOSFET导通。
(2)根据工作方式的不同,MOSFET可以分为增强型和耗尽型。增强型MOSFET需要栅极电压超过一定值才能导通,而耗尽型MOSFET在没有栅极电压时也存在导电沟道。
(2)在模拟电路中,MOSFET可以作为放大器使用,特别是在低压和低功耗的应用中。
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