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  • SP6030F高压半桥栅极驱动器，双NMOS驱动芯片
  • SP6030F高压半桥栅极驱动器，驱动双N-MOS或IGBT
  • SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-MOS或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。

SP6030F双通道MOS驱动

产品品牌 Brand： si-power/硅动力

产品型号 Part No.： SP6030F

产品类型 Channel： 驱动ic

输入电压 Vin(V)：

电流源 max(A)： 0.45A

应用范围： 广泛应用于直流无刷电机驱动方案

资料下载：

【摘要】SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-MOS或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。

型号：SP6030F
类型：驱动ic
电流源 max(A)：0.45A
电流沉 max(A)：
供电电源(V)：
输入电压Vin：
工作温度：
Package：SOP-8

       SP6030F是一款高压半桥栅极驱动器适用于桥式电路设计的芯片双N-mos或IGBT。可广泛应用于直流无刷电机驱动方案。

高压半桥栅极驱动器SP6030F典型应用电路示意图

       SP6030F控制高低电平的输出通过两个独立的输入信号驱动电路。这个内置120ns死区时间和直接驱动保护逻辑芯片可以防止外部两根电源管同时开启。浮动航道可用于驱动N沟道功率mosfet高侧配置，工作电压高达600V。


高压半桥栅极驱动器SP6030F极限参数


高压半桥栅极驱动器SP6030F内部框图如下：

高压半桥栅极驱动器SP6030F内部框图


本文标签： 高压 栅极 驱动 NMOS MOS
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编辑：国产MOS管厂家
时间：2025-04-24
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