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n沟道增强型mos管PTD60N02

产品品牌 Brand： PUOLOP(迪浦)

产品型号 Part No.： PTD60N02

产品类型 Channel： N

漏源电压 Vds(V)： 20V

连续漏极电流 ID(A)： 60 A

应用范围： 电池保护/负载开关/不间断电源UPS

资料下载：

【摘要】PTD60N02是一款20V N沟道增强型MOSFET，具有出色的RDS、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作，适用于电池保护和其他开关应用。

型号：PTD60N02
类型：N
VDS(V)：20V
VGS(V)：±12 V
Vth(V)：
RDS(on)VGS=10V：20A
RDS(on)VGS=4.5V：25 A
ID(A)：60 A
EAS(mJ)：64 mj
Ciss(pF)：2000 pF
Qg(nC)：27 nC
Package：TO-252

PUOLOP(迪浦) 20V N沟道增强型mosfet  PTD60N02简述：

      PTD60N02采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作，1个N沟道 耐压:20V 电流:60A。该NMOS管适用于电池保护或其他开关应用。

PTD60N02实拍图片2

一般特性：

VDS=20V ID=60 A 

RDS（ON）<6mΩ @ VGS=4 5V


PTD60N02 N-MOS管极性图示



PUOLOP(迪浦) 20V N沟道增强型mosFET  PTD60N02应用：

（1）电池保护

（2）负载开关

（3）不间断电源


PUOLOP(迪浦)PTD60N02 N-mos管包装及封装信息：

PTD60N02 N-MOS管包装信息


PUOLOP(迪浦)PTD60N02 N-MOS管极限参数如下：

PTD60N02 N-MOS管极限参数



本文标签： mos管
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编辑：pdmos
时间：2024-10-26
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