威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN，并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等领域。

Dual-NMOS 无线充MOS管（N+N）

• VSA007N02KD
  

• VS3640DS

• VS3622DS

• VS3645DE-G

• VS3628DE-G

• VS3638DE-G

Dual-PMOS管

• VS3510DS

Asymmetric-NMOS

• VS3628DB

• VS3662DB

• VS3652DB

• VS3647DB

• VS3836DB

• VS3622DB

• VS3620DP2-G

• VS3625DP2-G
  

NMOS+PMOS 无线充MOS管（N+P）

• VSE025C03MC

• VSE044C03MD

• VSP009C03MD

• VSP008C03MD

• VSE048C04MD

• VSP030C04MD

• VSD020C04MC
  

Single-NMOS

• VS2646ACL

• VS2666AC

• VS2666AH

• VS2622AL

• VS2622AA

• VS2626AE

• VS2622AE

• VS3646ACL

• VS3646ACM

• VS3640AC

• VS3618AH

• VS3622AA4

• VS3640AA

• VS3645GA

• VS3640AS
  

Single-PMOS

• VSC090P02LS

• VS3415AC

• VS2546AL

• VS2546AC

• VS2522AL

• VS2522AA2

• VS2522AA4

• VS2510AE

• VS2508AE

• VSE003P02KS

• VSP002P02KS

• VSP001P02KSC

• VSP001P02KS

• VS3546ACL

• VS3540AC

• VS3546ACM

• VS3543ACM

• VS3543AS

• VS3522AA2
  

vgsemi威兆 MOS管选型表（EXCEL）下载

• vgsemi威兆-MOS选型表