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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
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公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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高压MOS管的应用领域有哪些？
MOS管以其独特的工作原理和卓越的性能，被广泛应用于模拟电路和数字电路中。
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mos管搭建i2c隔离电路，方法大揭秘
本文介绍了三极管和MOS管的结构、工作原理、外观特征和测试方法。三极管由三个引脚组成，主要通过基极电流控制集电极和发射极之间...
常见问答/ FAQmore+
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mos管雪崩击穿原理是怎样的？会有什么影响
mos管雪崩击穿原理
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mos管雪崩击穿的原因，等你来探寻！
在现代电力电子设备中，MOSFET是一种关键的半导体器件，容易发生雪崩击穿现象。其发生原因包括材料与工艺因素、结构设计因素以及外部工作条件。雪崩击穿的原因包括掺杂浓度、晶体缺陷、表面态密度、结深宽比和
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mos管gs之间加电容的作用，等你揭晓！
在现代电子电路中，MOSFET的开关速度和稳定性对电路性能至关重要。为了优化MOSFET的性能，设计者常在其栅极和源极之间加入电容元件。本文探讨了电容元件在防止误导通、提高稳定性、保护栅源极间免受静电
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mos管驱动电路设计，秘籍大公开
本文介绍了MOS管驱动电路的设计理念、关键参数选择及其优化方法。驱动电阻选择和寄生电容管理是关键，需要考虑驱动能力、阻尼特性及米勒平台效应等因素。
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mos管工作原理图讲解，你看懂了吗？
本文详细介绍了MOS管的工作原理和应用。它由四个部分组成：源极、漏极、栅极和通道。栅极电压改变时，通道中的电子浓度变化，实现对电流的控制。MOS管既可以作为NPN型晶体管使用，也可以作为PNP型晶体管
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隔离mosfet，等你来一探究竟！
隔离MOSFET是一种集成高电压绝缘层的MOSFET，通过改变栅极电压实现高电压与高频率的隔离，适用于需要高可靠性和安全性的场合。但其制造成本高、热管理复杂，且可能受到电磁干扰影响。
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mos管的作用功能，你了解多少？
MOS管是重要的半导体元件，主要作用和功能包括信号放大、开关控制和隔离。它具有信号放大、开关控制和隔离等特性，广泛应用于音频放大器、无线通信系统等。
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