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- 无线充电发射模块（桌面式）低压MOS管在1V至40V左右。
- 低压MOS管则适用于那些工作电压较低的场景，如移动设备、低功耗电路和数据处理应用。低压MOS管一股以贴片式为主
- 高压MOS管的电压范围在400V至1000V之间。
- 高压MOS管常用于那些需要高电压环境下具备低导通电阻和高耐压能力的电路,例如电源和电能控制器。
- 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。
- 碳化硅（SiC）SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。
走进 · 诺芯盛科技ABOUT US
公司简介/ Company profile
深圳市诺芯盛科技有限公司成立于2022年3月1日，主营无线充电方案设计及模块PCBA制造；代理分销国产中低压MOS管、高压MOS管、第三代半导体GaN、SiC等产品；品牌：安森德ASDsemi、APM等国产MOS系列。
公司产品主要面向消费类、电子类客户：智能数码、家用电器、电源、充电器产品、照明产品、保温系列产品。诺芯盛科技一贯坚持“以诚感人、以质取人、以信待人”的经营方针，结合市场变化和客户要求，致力于同客户建立长期的合作伙伴关系，在售后服务等完善服务，赢得了客户的广泛好评！
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MOS管组成的H桥电路及其PWM占空比控制电流
本文介绍了国产MOS管十大品牌，包括长电长晶科技、吉林华微、士兰微、华润华晶、新洁能、东光微、江苏捷捷微、乐山无线电、苏州固...
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mos管雪崩能量和选型
MOS管栅极并联电容大小影响其性能、稳定性和可靠性。通过合理选择和设计，可以提升MOS管工作状态和稳定性，改善噪声特性和共模...
常见问答/ FAQmore+
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mos管驱动电压范围
本文主要介绍了MOS管的驱动电压范围及其相关概念，包括阈值电压和驱动常。不同类型的MOS管有不同的驱动电压需求，设计师需要考虑多种因素，如输出电流能力、驱动电压范围、开关频率等。额定电压是另一个与MO
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mos管栅极漏极击穿的原因
MOS管是电子电路中的重要元件，通过控制电流流动的路径实现电流控制。常见的失效模式包括过压损坏、静电击穿、过流损坏和过热失效。栅极漏极击穿是由于电压过高导致的绝缘层损坏，其具体原因包括电压过高、静电放
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nmos是高电平导通还是低电平导通
本文探讨了NMOS导通特性，分为高电平和低电平两种情况。NMOS工作原理基于沟道导电，高电平导通，低电平断开。与PMOS相比，NMOS的导通特性更为复杂，常用于控制地与电源之间的导通。
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mos管全桥逆变电路
MOSFET管全桥逆变电路是一种将直流电转换为交流电的电力电子电路，主要由四个金属-氧化物-半导体场效应晶体管组成。通过控制这四个MOSFET的导通和关闭，实现直流电到交流电的转换。
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开关管是mos管还是三极管
MOS管和三极管是电子技术中的两种重要器件，它们在功能和应用上有着显著的差异。MOS管主要通过电压控制元件实现快速开关，而三极管则主要通过电流控制元件实现信号放大。在控制方式上，MOS管不需要持续的电
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mosfet工作原理及接线图简介
MOSFET的工作原理是基于PN结的电压反向偏置效应。
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mos管工作原理及详解场效应管
MOS管是一种具有导电沟道的场效应晶体管，工作原理基于电场效应，可分为截止区、线性区和饱和区。不同类型的MOS管具有不同的工作特性。
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